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三星半导体12英寸闪存芯片二期

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三星半导体12英寸闪存芯片二期

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三星(中国)半导体12英寸闪存芯片二期FAB生产栋工程位于西安市高新综合保税区内,建筑面积295122㎡,结构类型为RC现浇混凝土结构、PC预制构件结构、钢结构及SRC劲性混凝土结构的混合结构体系。项目建成后将成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。
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三星(中国)半导体12英寸闪存芯片二期FAB生产栋工程位于西安市高新综合保税区内,建筑面积295122㎡,结构类型为RC现浇混凝土结构、PC预制构件结构、钢结构及SRC劲性混凝土结构的混合结构体系。项目建成后将成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

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